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BSZ15DC02KD H /MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
BSZ15DC02KD H的规格信息
BSZ15DC02KD H的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:5.1 A, 3.2 A

Rds On-漏源导通电阻:41 mOhms, 97 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV, 1.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:2.8 nC, - 4.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:5.5 S, 3.4 S

下降时间:1.4 ns, 4.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2 ns, 3.7 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12.2 ns, 11.3 ns

典型接通延迟时间:4.9 ns, 7.4 ns

零件号别名:BSZ15DC02KDHXTMA1 SP000961028

供应商BSZ15DC02KD H
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BSZ15DC02KD HMOSFET SMALL SIGNAL+P-CHInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO381.10 Kbytes共13页BSZ15DC02KD H的PDF下载地址
BSZ15DC02KD H连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A,3.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.4V @ 110uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 5.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道和P沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO385.29 Kbytes共13页BSZ15DC02KD H的PDF下载地址
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BSZ15DC02KD HInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A,3.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.4V @ 110uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 5.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道和P沟道1+:¥7.24
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